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哈佛大学指控三星电子侵犯其微处理器和内存制造领域两项专利

时间:2024-08-23 16:41:10 点击:132

    

哈佛大学近日向美国得克萨斯州东区地方法院提交起诉书,指控三星电子在微处理器和内存制造领域侵犯了两项专利。



IT之家从起诉书中了解到,哈佛大学化学系教授 Roy G. Gordon 等是这两项专利的发明人,哈佛大学校方是这些专利的受让人,拥有对应专利的完整权利。


这两项专利涉及含钴、钨薄膜的沉积方法,分别名为“用于铜互连的氮化钴层及其形成方法”与“氮化钨的气相沉积”,哈佛大学称“这种薄膜对于计算机和手机等众多产品的关键部件至关重要”。


哈佛大学认为三星电子在代工高通骁龙 8 Gen 1 处理器等的过程中,侵犯哈佛大学同氮化钴薄膜制备有关的专利,涉及三星 S22 智能手机等产品。


而三星在生产 LPDDR5X 等内存时,在未经授权的情况下实践了哈佛大学钨层沉积专利中至少一项权利要求的每个要素,三星的 Galaxy Z Flip5 折叠屏手机即使用了相关 LPDDR5X 内存产品。



哈佛大学在起诉书中要求三星电子停止侵权并支付未指明金额的金钱赔偿。


专利侵权应该怎样认定?


根据相关法律的规定,专利侵权行为具有以下特征:


(一)侵害的对象是有效的专利。专利侵权必须以存在有效的专利为前提,对于在发明专利申请公布后专利权授予前使用发明而未支付适当费用的纠纷,专利权人应当在专利权被授予之后,请求管理专利工作的部门调解,或直接向人民法院起诉。


(二)必须有侵害行为,即行为人在客观上实施了侵害他人专利的行为。并以生产经营为目的。非生产经营目的的实施,不构成侵权。


(三)违反了法律的规定,即行为人实施专利的行为未经专利权人的许可,又无法律依据。


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